本站2月27日消息,据国外媒体最新消息称,三星将在今年下半年,开始使用中国存储专利技术生产相应的芯片。
近期,三星电子已与中国存储芯片厂商长江存储签署了开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”技术的专利许可协议。
按照消息人士的说法,三星计划于2025年下半年量产下一代V10 NAND,将使用长江存储的专利技术,特别是在“混合键合”技术方面。
三星之所以选择向长江存储获取“混合健合”专利授权,主要由于目前长江存储在“混合键合”技术方面处于全球领先地位。并且三星经过评估认为,从下一代V10 NAND开始,其已经无法再避免长江存储专利的影响。
对于中国存储行业来说,这确实是振奋人心的消息,毕竟大家从落后一直到赶超,这也从侧面反映了中国科技自主创新的成果。
免责声明:本文为转载,非本网原创内容,不代表本网观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实,对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。
如有疑问请发送邮件至:goldenhorseconnect@gmail.com